Dinamica electronica en el silicio poroso y en algunas nanoestructuras bidimiensionales

Resumen

En esta memoria se han planteado nuevos modelos numéricos para estudiar la dinámica electrónica en el Silicio Poroso y en nanoestructuras de GaAs/A1GaAs. En lo dos primeros capítulos dedicados a las nanoestructuras de GaAs se plantea una ecuación de masa efectiva con un potencial Hartree dependiente del tiempo. Este modelo se integra numéricamente obteniendo información dinámica de la densidad de carga confinada en el doble pozo cuántico. En el capítulo 3, se propone un modelo de enlace fuerte para poder estudiar el efecto túnel entre los nanocristales de silicio, teniendo en cuenta distintos acoples geométricos. En el capítulo 4 se trata de estudiar el efecto túnel entre dos nanocristales teniendo en cuenta los efectos de la interacción electrón-electrón. Para ello se aplica el modelo del capítulo 1 al silicio poroso. En el caso del GaAs se ha estudiado la posibilidad de suprimir la corriente de efecto túnel debido a la no linealidad de la ecuación de Schrodinger. En el silicio poroso se ha estudiado la dependencia de la conductividad con la corriente alterna y la supresión de la fotoluminiscencia con el campo eléctrico aplicado.