Analisis teorico de la dispersion raman resonante en semiconductores

Resumen

SE HA CALCULADO TANTO ANALITICA COMO NUMERICAMENTE EL COMPORTAMIENTO DEL TENSOR RAMAN ANTE DISTINTOS ESTIMULOS EXTERNOS PARA DIFERENTES ESTRUCTURAS SEMICONDUCTORAS DE INTERES TECNOLOGICO. EN LAS HETEROESTRUCTURAS LLAMADAS SUPERREDES SE HA ESTUDIADO LA MODIFICACION DEL TENSOR RAMAN POR EFECTO DE CAMPOS ELECTRICOS EXTERNOS COMPROBANDOSE SU DISMINUCION DE AMPLITUD FRENTE A LA INTENSIDAD DE DICHOS CAMPOS Y EL CORRIMIENTO DE LOS MAXIMOS A REGIONES DE MENOR ENERGIA. EN LOS SEMICONDUCTORES TIPO ZINC-BLENDA SE HAN CALCULADO DENTRO DE UN FORMALISMO MICROSCOPICO Y LA APROXIMACION TBA LOS COEFICIENTES ELECTROOPTICOS DE FAUST-HENRY Y GENERADORES DE SEGUNDO ARMONICO COEFICIENTES QUE CARACTERIZAN LA RESPUESTA ELECTRO-OPTICA DE ESTOS MATERIALES (GA-AS IN-P ETC.) TAMBIEN SE HAN CALCULADO LOS POTENCIALES DE DEFORMACION CORRESPONDIENTES A LOS DISTINTOS FONONES OPTICOS EXISTENTES EN LAS ESTRUCTURAS SEMICONDUCTORAS TIPO WURTZITAS. TODOS LOS MATERIALES ESTUDIADOS PROCEDENTES DE LOS GRUPOS III-V O II-VI DE LA TABLA PERIODICA SON LOS UTILIZADOS EN LA TECNOLOGIA OPTOELECTRONICA ACTUAL.