Uniform low-to-high in composition InGaN layers grown on Si

  1. Aseev, P.
  2. Rodriguez, P.E.D.S.
  3. Kumar, P.
  4. Gómez, V.J.
  5. Alvi, N.U.H.
  6. Mánuel, J.M.
  7. Morales, F.M.
  8. Jiménez, J.J.
  9. García, R.
  10. Calleja, E.
  11. Nötzel, R.
Zeitschrift:
Applied Physics Express

ISSN: 1882-0778 1882-0786

Datum der Publikation: 2013

Ausgabe: 6

Nummer: 11

Art: Artikel

DOI: 10.7567/APEX.6.115503 GOOGLE SCHOLAR