Epitaxial InN/InGaN quantum dots on Si: Cl% anion selectivity and pseudocapacitor behavior

  1. Rodriguez, P.E.D.S.
  2. Mari, C.M.
  3. Sanguinetti, S.
  4. Ruffo, R.
  5. Nötzel, R.
Revista:
Applied Physics Express

ISSN: 1882-0786,  1882-0778

Any de publicació: 2016

Volum: 9

Número: 8

Tipus: Article

DOI: 10.7567/APEX.9.081004 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus