Comparative study of single InGaN layers grown on Si(111) and GaN(0001) templates: The role of surface wetting and epitaxial constraint

  1. Gómez, V.J.
  2. Gačević, Z.
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  4. Aseev, P.
  5. Nötzel, R.
  6. Calleja, E.
  7. Sánchez-García, M.A.
Revista:
Journal of Crystal Growth

ISSN: 0022-0248

Año de publicación: 2016

Volumen: 447

Páginas: 48-54

Tipo: Artículo

DOI: 10.1016/J.JCRYSGRO.2016.04.007 GOOGLE SCHOLAR