High in composition InGaN for InN quantum dot intermediate band solar cells

  1. Gómez, V.J.
  2. Rodriguez, P.E.D.S.
  3. Kumar, P.
  4. Calleja, E.
  5. Nö tzel, R.
Zeitschrift:
Japanese Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-4922,  1347-4065

Datum der Publikation: 2013

Ausgabe: 52

Nummer: 8 PART 2

Art: Artikel

DOI: 10.7567/JJAP.52.08JH09 GOOGLE SCHOLAR
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