Formation of two-dimensional InAs quantum dot arrays by self-organized anisotropic strain engineering on InP (3 1 1)B substrates

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Revista:
Journal of Crystal Growth

ISSN: 0022-0248

Año de publicación: 2010

Volumen: 312

Número: 2

Páginas: 164-168

Tipo: Artículo

DOI: 10.1016/J.JCRYSGRO.2009.10.017 GOOGLE SCHOLAR