Propiedades electronicas de los clatratos de germanio y estabilidad grafitica de semiconductores simples. Estudio desde primeros principios

  1. FUENTES CABRERA MIGUEL ANGEL
Supervised by:
  1. Alfonso Muñoz González Director

Defence university: Universidad de La Laguna

Fecha de defensa: 10 June 1998

Committee:
  1. Arturo Hardisson de la Rosa Chair
  2. Elena Alvira Lechuz Secretary
  3. Víctor Ramón Velasco Rodríguez Committee member
  4. Pedro Gili Trujillo Committee member
  5. José Ortega Mateo Committee member
Department:
  1. Física

Type: Thesis

Teseo: 66096 DIALNET

Abstract

Usando un método de ligaduras fuertes (tight-binding) de primeros principios y dinámica molecular, se estudiaron las propiedades electrónicas de los clatratos de Germanio, Ge(46) y Ge(34). Se encontró que estas fases tienen una estabilidad comparable a la fase zincblenda siendo el Ge(34) más estable que el Ge(46). Ambos pueden tener propiedades ópticas: el Ge(46) tiene un band gap amplio pero indirecto, el clatrato Ge(34) tiene un amplio band gap directo. Se estudió la estabilidad grafítica de la monocapa aislada de C, BN, SiC, Si, y GaAs. Se obtuvo que C, BN y SiC prefieren mantener su monocapa en un plano (simetría D6h) mientras que Si, y GaAs se corrugan (simetría D3d). La estabilidad de la fase corrugada del Si es crítica. Las energías de Si y GaAs se predicen correctamente por un simple modelo energético. Se sugiere la estabilidad de la fase grafítica de SiC: hasta ahora no existen resultados previos en este sentido.