Determination of stress in porous silicon by micro-Raman spectroscopy

  1. Manotas, S.
  2. Agulló-Rueda, F.
  3. Moreno, J.D.
  4. Ben-Hander, F.
  5. Guerrero-Lemus, R.
  6. Martínez-Duart, J.M.
Zeitschrift:
Physica Status Solidi (A) Applied Research

ISSN: 0031-8965

Datum der Publikation: 2000

Ausgabe: 182

Nummer: 1

Seiten: 245-248

Art: Artikel

DOI: 10.1002/1521-396X(200011)182:1<245::AID-PSSA245>3.0.CO;2-W GOOGLE SCHOLAR
Datenquelle: Scopus