Estudio de la estructura de bandas del seleniuro de indio mediante medidas ópticas bajo presión hidrostática
- MANJON HERRERA, FRANCISCO JAVIER
- Alfredo Segura García del Río Director
Universidade de defensa: Universitat de València
Ano de defensa: 1999
- Jesús Antonio González Gómez Presidente/a
- Juan Ignacio Martínez Pastor Secretario/a
- Fernando Rodríguez González Vogal
- Alfonso Muñoz González Vogal
- Angel Rubio Secades Vogal
Tipo: Tese
Resumo
El objetivo de este trabajo ha sido el estudio de propiedades ópticas del semiconductor laminar seleniuro de indio (InSe), perteneciente a la familia de los semiconductores III-VI, en función de la presión. El estudio de las propiedades ópticas de transmitancia, absorción, y luminiscencia en función de la presión mediante la utilización de una celda de yunques de diamante nos ha permitido obtener una imagen relativamente completa de la estructura de bandas electrónicas en este material y una mejor comprensión de las interacciones que tienen lugar en los semiconductores laminares de la familia III-VI. Adicionalmente, el estudio de las simetrías de las bandas electrónicas y su evolución con la presión nos ha permitido establecer las posibles transiciones electrónicas responsables de la evolución de las constantes dieléctricas y de las masas efectivas de electrones y huecos en este material y sus evoluciones con la presión. Finalmente, hemos analizado un cálculo teórico de las masas efectivas de electrones y huecos en los laminares III-VI mediante el modelo kp que nos ha permitido estimar la evolución de las masas efectivas con la presión en el seleniuro de indio.