Influence of the epitaxial composition on N-face GaN KOH etch kinetics determined by ICP-OES

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Revista:
Beilstein Journal of Nanotechnology

ISSN: 2190-4286

Año de publicación: 2020

Volumen: 11

Páginas: 41-50

Tipo: Artículo

DOI: 10.3762/BJNANO.4 GOOGLE SCHOLAR