Mecanismos de crecimiento y estructura de películas delgadas de SiO2 obtenidas mediante deposición química en fase de vapor

Resumen

En este trabajo se investigan desde los puntos de vista experimental y teórico los mecanismos físicos y químicos que determinan el crecimiento y la estructura de películas delgadas de óxido de silicio obtenidas en condiciones de baja presión y baja temperatura a partir de la reacción SiH4/O2. Con este fin se analiza detalladamente la cinética y dinámica de crecimiento, y la estructura y composición química de la película obtenida, empleando técnicas de deposición por CVD térmico, técnicas de caracterización (perfilometría, elipsometría, IRS, FTIR, Raman, NMR, XPS, ERDA, NRA, SEM, TEM y AFM) y técnicas de simulación (ecuaciones de continuidad, Monte Carlo y ecuaciones de crecimiento estocásticas). Este estudio se centra en los siguientes aspectos: formación de especies intermedias en fase gas: incorporación de hidrógeno y disposición estructural de éste; influencia de la incorporación de hidrógeno en la estructura local, orden a corto alcance, microestructura, densidad y estoquimetría de la película; mecanismos de eliminación de hidrógeno durante el proceso de crecimiento; y mecanismos que gobiernan la evolución morfológica de la película en un amplio rango de escalas temporales y espaciales.