High in composition InGaN for InN quantum dot intermediate band solar cells

  1. Gómez, V.J.
  2. Rodriguez, P.E.D.S.
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  4. Calleja, E.
  5. Nö tzel, R.
Revista:
Japanese Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-4922,  1347-4065

Año de publicación: 2013

Volumen: 52

Número: 8 PART 2

Tipo: Artículo

DOI: 10.7567/JJAP.52.08JH09 GOOGLE SCHOLAR

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