High in composition InGaN for InN quantum dot intermediate band solar cells
- Gómez, V.J.
- Rodriguez, P.E.D.S.
- Kumar, P.
- Calleja, E.
- Nö tzel, R.
ISSN: 0021-4922, 1347-4065
Año de publicación: 2013
Volumen: 52
Número: 8 PART 2
Tipo: Artículo
Revista:
Japanese Journal of Applied Physics