First demonstration of direct growth of planar high-in-composition InGaN layers on Si

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Zeitschrift:
Applied Physics Express

ISSN: 1882-0778,  1882-0786

Datum der Publikation: 2013

Ausgabe: 6

Nummer: 3

Art: Artikel

DOI: 10.7567/APEX.6.035501 GOOGLE SCHOLAR
Datenquelle: Scopus