El contacto metal-semiconductor modificaciones mediante pasivación
- Saiz-Pardo Hurtado, Ramón
- Fernando Flores Sintas Director
Universidade de defensa: Universidad Autónoma de Madrid
Fecha de defensa: 05 de maio de 1997
- Enrique García Michel Presidente/a
- Víctor Velasco Rodríguez Secretario/a
- Julio A. Alonso Vogal
- Alfonso Muñoz González Vogal
- Maria Alonso Prieto Vogal
Tipo: Tese
Resumo
Los modelos actuales sobre el contacto m-s proponen la interaccion directa entre los atomos del metal y el semiconductor como el elemento principal en la formacion de las barreras schottky. Se propone la pasivacion como mecanismo para las modificacion de las propiedades de los contactos. Bajo un esquema tb autoconsistente, se estudia la realizacion de algunas pasivaciones de superficies semiconductoras frecuentemente utilizadas: Gaas(110) -mediante sb, h y as-, si(111) -mediante sb y h-, y c(111) mediante h. Se realiza, asimismo, un estudio comparativo de contactos metalicos sobre estas superficies, frente a los correspondientes sobre las superficies limpias. Sobre el metodo de calculo se analiza el efecto de la introduccion de una serie de terminos de tres centros al aplicarlo a algunas estructuras de volumen: Fli, si y gaas.