Caracterización estructural del crecimiento de siliciuros de hierro sobre Si(111) con microscopía de efecto túnel

Resumen

Se ha diseñado y construido un microscopio de efecto tunel que obtiene de forma rutinaria resolucion atomica en ultra alto vacio. Se ha desarrollado el soporte informatico necesario para el manejo y tratamiento de los datos. Se ha aplicado el microscopio a la caracterizacion del crecimiento epitaxial de siliciuros de hierro sobre si(111)-(7x7). En el transcurso del trabajo se ha estudiado con detalle el proceso de preparacion de la superficie si(111) mostrando la potencia del microscopio de efecto tunel para detectar la presencia de agregados de carburo de silicio en la superficie que debido a que estan presentes en cantidades bajo el limite de deteccion de otras tecnicas en fisica de superficie. Se ha estudiado la interaccion de los atmos de hierro con la superficie de silicio a temperatura ambiente y el diagrama de fases del sistema hierro silicio en funcion del recubrimiento de hierro y la temperatura de calentamiento. Se ha caracterizado una nueva fase de disiliciuro de hierro que no es posible crecerla en muestras de volumen y solo es posible crecerla por epitaxia sobre si(111).