Propiedades electronicas de semiconductores. Superficies y heterouniones

  1. RODRIGUEZ HERNANDEZ, PLACIDA
Dirigida per:
  1. Alfonso Muñoz González Director

Universitat de defensa: Universidad de La Laguna

Any de defensa: 1993

Tribunal:
  1. José Peraza Hernandez President/a
  2. José Breton Peña Secretari/ària
  3. Federico Soria Gallego Vocal
  4. Rodolfo Miranda Soriano Vocal
  5. Víctor Velasco Rodríguez Vocal
Departament:
  1. Física

Tipus: Tesi

Teseo: 38930 DIALNET

Resum

SE ESTUDIAN PROPIEDADES ELECTRONICAS DE SUPERFICIES Y DE HETEROUNIONES DE SEMICONDUCTORES III-V, EMPLEANDO METODOS SEMIEMPIRICOS Y DESDE PRIMEROS PRINCIPIOS, DETERMINANDOSE TAMBIEN PROPIEDADES ELASTICAS DE SEMICONDUCTORES.SE DEDUCE EL ORIGEN DE LOS DESPLAZAMIENTOS ADICIONALES EN LOS NIVELES DE ENERGIA PROFUNDOS DE ATOMOS SITUADOS EN LA SUPERFICIE Y UN MODELO PARA DETERMINARLOS. SE COMPRUEBA LA IMPORTANCIA DE LA AUTOCONSISTENCIA EN LA DETERMINACION DE LAS BANDAS DE SUPERFICIE (INP(110) Y SB/GAAS(110)). SE DEMUESTRA QUE SE PUEDE CONTROLAR LA DISCONTINUIDAD DE BANDA EN HETEROUNIONES NO POLARES (110), DEPOSITANDO FINAS CAPAS DE GE Y SI EN LA UNION. SE INCLUYE EN EL MODELO TEORICO LA EXISTENCIA DE DIFUSION DE LA INTRACAPA EN LA UNION POLAR (100) Y MOSTRAMOS QUE ESTE EFECTO ES ESENCIAL PARA EXPLICAR EL COMPORTAMIENTO EXPERIMENTAL. SE PREDICEN LOS MODULOS DE ELASTICIDAD DEL ALP DESDE PRIMEROS PRINCIPIOS.