Propiedades electronicas de semiconductores. Superficies y heterouniones

  1. RODRIGUEZ HERNANDEZ, PLACIDA
Supervised by:
  1. Alfonso Muñoz González Director

Defence university: Universidad de La Laguna

Year of defence: 1993

Committee:
  1. José Peraza Hernandez Chair
  2. José Breton Peña Secretary
  3. Federico Soria Gallego Committee member
  4. Rodolfo Miranda Soriano Committee member
  5. Víctor Velasco Rodríguez Committee member
Department:
  1. Física

Type: Thesis

Teseo: 38930 DIALNET

Abstract

SE ESTUDIAN PROPIEDADES ELECTRONICAS DE SUPERFICIES Y DE HETEROUNIONES DE SEMICONDUCTORES III-V, EMPLEANDO METODOS SEMIEMPIRICOS Y DESDE PRIMEROS PRINCIPIOS, DETERMINANDOSE TAMBIEN PROPIEDADES ELASTICAS DE SEMICONDUCTORES.SE DEDUCE EL ORIGEN DE LOS DESPLAZAMIENTOS ADICIONALES EN LOS NIVELES DE ENERGIA PROFUNDOS DE ATOMOS SITUADOS EN LA SUPERFICIE Y UN MODELO PARA DETERMINARLOS. SE COMPRUEBA LA IMPORTANCIA DE LA AUTOCONSISTENCIA EN LA DETERMINACION DE LAS BANDAS DE SUPERFICIE (INP(110) Y SB/GAAS(110)). SE DEMUESTRA QUE SE PUEDE CONTROLAR LA DISCONTINUIDAD DE BANDA EN HETEROUNIONES NO POLARES (110), DEPOSITANDO FINAS CAPAS DE GE Y SI EN LA UNION. SE INCLUYE EN EL MODELO TEORICO LA EXISTENCIA DE DIFUSION DE LA INTRACAPA EN LA UNION POLAR (100) Y MOSTRAMOS QUE ESTE EFECTO ES ESENCIAL PARA EXPLICAR EL COMPORTAMIENTO EXPERIMENTAL. SE PREDICEN LOS MODULOS DE ELASTICIDAD DEL ALP DESDE PRIMEROS PRINCIPIOS.