Two-dimensional tight-binding model of ac conductivity in porous silicon

  1. Cruz, H.
  2. Luis, D.
  3. Capuj, N.E.
  4. Pavesi, L.
Aldizkaria:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Argitalpen urtea: 1998

Alea: 83

Zenbakia: 12

Orrialdeak: 7693-7698

Mota: Artikulua

DOI: 10.1063/1.367940 GOOGLE SCHOLAR
Datuen iturria: Scopus