Two-dimensional tight-binding model of ac conductivity in porous silicon
- Cruz, H.
- Luis, D.
- Capuj, N.E.
- Pavesi, L.
ISSN: 0021-8979
Ano de publicación: 1998
Volume: 83
Número: 12
Páxinas: 7693-7698
Tipo: Artigo
Revista:
Journal of Applied Physics