First demonstration of direct growth of planar high-in-composition InGaN layers on Si

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Revista:
Applied Physics Express

ISSN: 1882-0778,  1882-0786

Año de publicación: 2013

Volumen: 6

Número: 3

Tipo: Artículo

DOI: 10.7567/APEX.6.035501 GOOGLE SCHOLAR

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