Selfconsistent tight-binding calculations of band offsets in GaAs/AlxGa1-xAs-(110) and GaSb/AlxGa1-xSb-(110) heterojunctions theoretical evidence for a new common-anion rule
ISSN: 0038-1098
Any de publicació: 1992
Volum: 81
Número: 11
Pàgines: 961-963
Tipus: Article