Propiedades ópticas y estructurales de semiconductores III-VI bajo presión

  1. Pellicer, Julio
Supervised by:
  1. Alfonso Enrique San Miguel Fuster Director
  2. Alfredo Segura García del Río Director

Defence university: Universitat de València

Year of defence: 1999

Committee:
  1. Alfonso Muñoz González Chair
  2. Andrés Cantarero Secretary
  3. Alain Polian Committee member
  4. Fernando Rodríguez González Committee member
  5. Isabel Castro Committee member

Type: Thesis

Teseo: 72013 DIALNET lock_openRODERIC editor

Abstract

Estudio de la evolución estructural completa de estos semiconductores bajo presión, utilizando técnicas X AFS. Determinación de la evolución de las distancias intra e intercapa bajo presión. Analogía entre la estructura de bandas del GaTe y la del resto de semiconductores de la familia. Estudio del frente de absorción del GaTe bajo presión. Evolución del GAP directo, GAP indirecto, Ryberg excitónico, anchura excitónica y elemento de matriz bajo presión. Evolución bajo presión del índice de refracción del GaTe en el infrarrojo medio. Determinación del índice de refracción perpendicular a las capas en el infrarrojo próximo.