Propiedades ópticas y estructurales de semiconductores III-VI bajo presión
- Pellicer, Julio
- Alfonso Enrique San Miguel Fuster Director/a
- Alfredo Segura García del Río Director/a
Universidad de defensa: Universitat de València
Año de defensa: 1999
- Alfonso Muñoz González Presidente
- Andrés Cantarero Secretario/a
- Alain Polian Vocal
- Fernando Rodríguez González Vocal
- Isabel Castro Vocal
Tipo: Tesis
Resumen
Estudio de la evolución estructural completa de estos semiconductores bajo presión, utilizando técnicas X AFS. Determinación de la evolución de las distancias intra e intercapa bajo presión. Analogía entre la estructura de bandas del GaTe y la del resto de semiconductores de la familia. Estudio del frente de absorción del GaTe bajo presión. Evolución del GAP directo, GAP indirecto, Ryberg excitónico, anchura excitónica y elemento de matriz bajo presión. Evolución bajo presión del índice de refracción del GaTe en el infrarrojo medio. Determinación del índice de refracción perpendicular a las capas en el infrarrojo próximo.