Propiedades ópticas y estructurales de semiconductores III-VI bajo presión

  1. Pellicer, Julio
Dirixida por:
  1. Alfonso Enrique San Miguel Fuster Director
  2. Alfredo Segura García del Río Director

Universidade de defensa: Universitat de València

Ano de defensa: 1999

Tribunal:
  1. Alfonso Muñoz González Presidente
  2. Andrés Cantarero Secretario/a
  3. Alain Polian Vogal
  4. Fernando Rodríguez González Vogal
  5. Isabel Castro Vogal

Tipo: Tese

Teseo: 72013 DIALNET lock_openRODERIC editor

Resumo

Estudio de la evolución estructural completa de estos semiconductores bajo presión, utilizando técnicas X AFS. Determinación de la evolución de las distancias intra e intercapa bajo presión. Analogía entre la estructura de bandas del GaTe y la del resto de semiconductores de la familia. Estudio del frente de absorción del GaTe bajo presión. Evolución del GAP directo, GAP indirecto, Ryberg excitónico, anchura excitónica y elemento de matriz bajo presión. Evolución bajo presión del índice de refracción del GaTe en el infrarrojo medio. Determinación del índice de refracción perpendicular a las capas en el infrarrojo próximo.