Estudio teórico de la quimisorción de átomos y moléculas sobre GaAs

  1. Rincón Carlavilla, Rafael
Dirigida per:
  1. Fernando Flores Sintas Director/a

Universitat de defensa: Universidad Autónoma de Madrid

Fecha de defensa: 10 de de juliol de 1995

Tribunal:
  1. José Luis Sacedón Adelantado President/a
  2. Fernando Sols Lucia Secretari/ària
  3. Álvaro Martín Rodero Vocal
  4. Juan Rubio Bernal Vocal
  5. Alfonso Muñoz González Vocal

Tipus: Tesi

Teseo: 50405 DIALNET

Resum

MEDIANTE UNA APROXIMACION LCAO (COMBINACION LINEAL DE ORBITALES ATOMICOS) SE ANALIZAN DISTINTAS ESPECIES DE ADSORBATOS (A1, IN, H, C1, O, H2O, OH...) SOBRE LA SUPERFICIE DEL SEMICONDUCTOR GAAS, ARSENURO DE GALIO. LOS TERMINOS DE MUCHOS CUERPOS DEL HAMILTONIANO SE APROXIMAN LOCALMENTE EN UN ESQUEMA DE NUMEROS DE OCUPACION. LAS TRANSICIONES METAL-AISLANTE SE PUEDEN ESTUDIAR FACILMENTE EN ESTE METODO, ASI, LA DEPOSICION DE POTASIO SOBRE LA SUPERFICIE GAAS (100) ES ANALIZADA, OBTENIENDOSE UNA TRANSICION METALICA PARA UNA DEPOSICION DE 6-7 POTASIOS SOBRE LA CELDA UNIDAD.