Estudio teórico de la quimisorción de átomos y moléculas sobre GaAs

  1. Rincón Carlavilla, Rafael
Supervised by:
  1. Fernando Flores Sintas Director

Defence university: Universidad Autónoma de Madrid

Fecha de defensa: 10 July 1995

Committee:
  1. José Luis Sacedón Adelantado Chair
  2. Fernando Sols Lucia Secretary
  3. Álvaro Martín Rodero Committee member
  4. Juan Rubio Bernal Committee member
  5. Alfonso Muñoz González Committee member

Type: Thesis

Teseo: 50405 DIALNET

Abstract

MEDIANTE UNA APROXIMACION LCAO (COMBINACION LINEAL DE ORBITALES ATOMICOS) SE ANALIZAN DISTINTAS ESPECIES DE ADSORBATOS (A1, IN, H, C1, O, H2O, OH...) SOBRE LA SUPERFICIE DEL SEMICONDUCTOR GAAS, ARSENURO DE GALIO. LOS TERMINOS DE MUCHOS CUERPOS DEL HAMILTONIANO SE APROXIMAN LOCALMENTE EN UN ESQUEMA DE NUMEROS DE OCUPACION. LAS TRANSICIONES METAL-AISLANTE SE PUEDEN ESTUDIAR FACILMENTE EN ESTE METODO, ASI, LA DEPOSICION DE POTASIO SOBRE LA SUPERFICIE GAAS (100) ES ANALIZADA, OBTENIENDOSE UNA TRANSICION METALICA PARA UNA DEPOSICION DE 6-7 POTASIOS SOBRE LA CELDA UNIDAD.