Estudio teórico de la quimisorción de átomos y moléculas sobre GaAs

  1. Rincón Carlavilla, Rafael
unter der Leitung von:
  1. Fernando Flores Sintas Doktorvater/Doktormutter

Universität der Verteidigung: Universidad Autónoma de Madrid

Fecha de defensa: 10 von Juli von 1995

Gericht:
  1. José Luis Sacedón Adelantado Präsident/in
  2. Fernando Sols Lucia Sekretär/in
  3. Álvaro Martín Rodero Vocal
  4. Juan Rubio Bernal Vocal
  5. Alfonso Muñoz González Vocal

Art: Dissertation

Teseo: 50405 DIALNET

Zusammenfassung

MEDIANTE UNA APROXIMACION LCAO (COMBINACION LINEAL DE ORBITALES ATOMICOS) SE ANALIZAN DISTINTAS ESPECIES DE ADSORBATOS (A1, IN, H, C1, O, H2O, OH...) SOBRE LA SUPERFICIE DEL SEMICONDUCTOR GAAS, ARSENURO DE GALIO. LOS TERMINOS DE MUCHOS CUERPOS DEL HAMILTONIANO SE APROXIMAN LOCALMENTE EN UN ESQUEMA DE NUMEROS DE OCUPACION. LAS TRANSICIONES METAL-AISLANTE SE PUEDEN ESTUDIAR FACILMENTE EN ESTE METODO, ASI, LA DEPOSICION DE POTASIO SOBRE LA SUPERFICIE GAAS (100) ES ANALIZADA, OBTENIENDOSE UNA TRANSICION METALICA PARA UNA DEPOSICION DE 6-7 POTASIOS SOBRE LA CELDA UNIDAD.