Quimisorción y la formación de la barrera Schottky la formación de la interfase metal alcalino-AsGa(110)

  1. Ortega Mateo, José
Dirigida per:
  1. Fernando Flores Sintas Director/a

Universitat de defensa: Universidad Autónoma de Madrid

Fecha de defensa: 11 de de juliol de 1991

Tribunal:
  1. Rodolfo Miranda Soriano President/a
  2. Álvaro Martín Rodero Secretari/ària
  3. Alfonso Muñoz González Vocal
  4. José Luis Sacedón Adelantado Vocal
  5. Luis Seijo Vocal

Tipus: Tesi

Teseo: 32299 DIALNET

Resum

En este trabajo se ha analizado teóricamente la formación de la barrera schottky en las interfases ideales metal alcalino-asga (110). Este análisis ha sido posible gracias al desarrollo de un método teórico de primeros principios que permite calcular las propiedades electrónicas y estructurales de las diferentes interfases.En particular, se han estudiado las energías de Quimisorción, la densidad local de estados y el nivel de fermi para las interfases entre li, na y k con asga (110) para los recubrimientos de o=1, o=1/2 y o 1. Además, se han analizado los efectos de correlación en la banda de superficie inducida por los átomos alcalinos en el gap del semiconductor. Los resultados obtenidos se comparan con la información experimental disponible.