Quimisorción y la formación de la barrera Schottky la formación de la interfase metal alcalino-AsGa(110)

  1. Ortega Mateo, José
Zuzendaria:
  1. Fernando Flores Sintas Zuzendaria

Defentsa unibertsitatea: Universidad Autónoma de Madrid

Fecha de defensa: 1991(e)ko uztaila-(a)k 11

Epaimahaia:
  1. Rodolfo Miranda Soriano Presidentea
  2. Álvaro Martín Rodero Idazkaria
  3. Alfonso Muñoz González Kidea
  4. José Luis Sacedón Adelantado Kidea
  5. Luis Seijo Kidea

Mota: Tesia

Teseo: 32299 DIALNET

Laburpena

En este trabajo se ha analizado teóricamente la formación de la barrera schottky en las interfases ideales metal alcalino-asga (110). Este análisis ha sido posible gracias al desarrollo de un método teórico de primeros principios que permite calcular las propiedades electrónicas y estructurales de las diferentes interfases.En particular, se han estudiado las energías de Quimisorción, la densidad local de estados y el nivel de fermi para las interfases entre li, na y k con asga (110) para los recubrimientos de o=1, o=1/2 y o 1. Además, se han analizado los efectos de correlación en la banda de superficie inducida por los átomos alcalinos en el gap del semiconductor. Los resultados obtenidos se comparan con la información experimental disponible.