Quimisorción y la formación de la barrera Schottky la formación de la interfase metal alcalino-AsGa(110)
- Ortega Mateo, José
- Fernando Flores Sintas Directeur/trice
Université de défendre: Universidad Autónoma de Madrid
Fecha de defensa: 11 juillet 1991
- Rodolfo Miranda Soriano President
- Álvaro Martín Rodero Secrétaire
- Alfonso Muñoz González Rapporteur
- José Luis Sacedón Adelantado Rapporteur
- Luis Seijo Rapporteur
Type: Thèses
Résumé
En este trabajo se ha analizado teóricamente la formación de la barrera schottky en las interfases ideales metal alcalino-asga (110). Este análisis ha sido posible gracias al desarrollo de un método teórico de primeros principios que permite calcular las propiedades electrónicas y estructurales de las diferentes interfases.En particular, se han estudiado las energías de Quimisorción, la densidad local de estados y el nivel de fermi para las interfases entre li, na y k con asga (110) para los recubrimientos de o=1, o=1/2 y o 1. Además, se han analizado los efectos de correlación en la banda de superficie inducida por los átomos alcalinos en el gap del semiconductor. Los resultados obtenidos se comparan con la información experimental disponible.