Estabilidad estructural y polimorfismo en semiconductores IVa y IIIa-Va a alta presión
- Alfonso Muñoz González Director
- Richard James Needs Director/a
Universitat de defensa: Universidad de La Laguna
Fecha de defensa: 17 de de novembre de 2000
- José Diego Bretón Peña President
- Maria Elena Alvira Lechuz Secretari/ària
- Roberto García Arribas Vocal
- Alfredo Segura García del Río Vocal
- Angel Rubio Secades Vocal
Tipus: Tesi
Resum
Se estudian las fases de alta presión en los semiconductores del grupo IVa Si y Ge en los compuestos binarios de la familia IIIa-Va A1P, A1As, A1Sb, GaAs, GaP, InP e InAs. El método utilizado en el cálculo de la energía interna de las distintas fases en una aplicación de la teoría del Funcional de la Densidad en el formalismo de pseudopotenciales y ondas planas.