Estabilidad estructural y polimorfismo en semiconductores IVa y IIIa-Va a alta presión
- Alfonso Muñoz González Zuzendaria
- Richard James Needs Zuzendaria
Defentsa unibertsitatea: Universidad de La Laguna
Fecha de defensa: 2000(e)ko azaroa-(a)k 17
- José Diego Bretón Peña Presidentea
- Maria Elena Alvira Lechuz Idazkaria
- Roberto García Arribas Kidea
- Alfredo Segura García del Río Kidea
- Angel Rubio Secades Kidea
Mota: Tesia
Laburpena
Se estudian las fases de alta presión en los semiconductores del grupo IVa Si y Ge en los compuestos binarios de la familia IIIa-Va A1P, A1As, A1Sb, GaAs, GaP, InP e InAs. El método utilizado en el cálculo de la energía interna de las distintas fases en una aplicación de la teoría del Funcional de la Densidad en el formalismo de pseudopotenciales y ondas planas.