Estabilidad estructural y polimorfismo en semiconductores IVa y IIIa-Va a alta presión
- Alfonso Muñoz González Director
- Richard James Needs Director
Universidade de defensa: Universidad de La Laguna
Fecha de defensa: 17 de novembro de 2000
- José Diego Bretón Peña Presidente
- Maria Elena Alvira Lechuz Secretario/a
- Roberto García Arribas Vogal
- Alfredo Segura García del Río Vogal
- Angel Rubio Secades Vogal
Tipo: Tese
Resumo
Se estudian las fases de alta presión en los semiconductores del grupo IVa Si y Ge en los compuestos binarios de la familia IIIa-Va A1P, A1As, A1Sb, GaAs, GaP, InP e InAs. El método utilizado en el cálculo de la energía interna de las distintas fases en una aplicación de la teoría del Funcional de la Densidad en el formalismo de pseudopotenciales y ondas planas.