Estabilidad estructural y polimorfismo en semiconductores IVa y IIIa-Va a alta presión
- Alfonso Muñoz González Directeur
- Richard James Needs Directeur/trice
Université de défendre: Universidad de La Laguna
Fecha de defensa: 17 novembre 2000
- José Diego Bretón Peña President
- Maria Elena Alvira Lechuz Secrétaire
- Roberto García Arribas Rapporteur
- Alfredo Segura García del Río Rapporteur
- Angel Rubio Secades Rapporteur
Type: Thèses
Résumé
Se estudian las fases de alta presión en los semiconductores del grupo IVa Si y Ge en los compuestos binarios de la familia IIIa-Va A1P, A1As, A1Sb, GaAs, GaP, InP e InAs. El método utilizado en el cálculo de la energía interna de las distintas fases en una aplicación de la teoría del Funcional de la Densidad en el formalismo de pseudopotenciales y ondas planas.