Estabilidad estructural y polimorfismo en semiconductores IVa y IIIa-Va a alta presión
- Alfonso Muñoz González Doktorvater
- Richard James Needs Doktorvater/Doktormutter
Universität der Verteidigung: Universidad de La Laguna
Fecha de defensa: 17 von November von 2000
- José Diego Bretón Peña Präsident
- Maria Elena Alvira Lechuz Sekretär/in
- Roberto García Arribas Vocal
- Alfredo Segura García del Río Vocal
- Angel Rubio Secades Vocal
Art: Dissertation
Zusammenfassung
Se estudian las fases de alta presión en los semiconductores del grupo IVa Si y Ge en los compuestos binarios de la familia IIIa-Va A1P, A1As, A1Sb, GaAs, GaP, InP e InAs. El método utilizado en el cálculo de la energía interna de las distintas fases en una aplicación de la teoría del Funcional de la Densidad en el formalismo de pseudopotenciales y ondas planas.