Estabilidad estructural y polimorfismo en semiconductores IVa y IIIa-Va a alta presión

  1. Mújica Fernaud, Andrés
Dirigida por:
  1. Alfonso Muñoz González Director
  2. Richard James Needs Director/a

Universidad de defensa: Universidad de La Laguna

Fecha de defensa: 17 de noviembre de 2000

Tribunal:
  1. José Diego Bretón Peña Presidente
  2. Maria Elena Alvira Lechuz Secretario/a
  3. Roberto García Arribas Vocal
  4. Alfredo Segura García del Río Vocal
  5. Angel Rubio Secades Vocal
Departamento:
  1. Física

Tipo: Tesis

Teseo: 83009 DIALNET lock_openRIULL editor

Resumen

Se estudian las fases de alta presión en los semiconductores del grupo IVa Si y Ge en los compuestos binarios de la familia IIIa-Va A1P, A1As, A1Sb, GaAs, GaP, InP e InAs. El método utilizado en el cálculo de la energía interna de las distintas fases en una aplicación de la teoría del Funcional de la Densidad en el formalismo de pseudopotenciales y ondas planas.