Estabilidad estructural y polimorfismo en semiconductores IVa y IIIa-Va a alta presión

  1. Andrés Mújica Fernaud
Supervised by:
  1. Alfonso Muñoz González Director
  2. Richard James Needs Director

Defence university: Universidad de La Laguna

Year of defence: 2000

Committee:
  1. José Diego Bretón Peña Chair
  2. Maria Elena Alvira Lechuz Secretary
  3. Roberto García Arribas Committee member
  4. Alfredo Segura García del Río Committee member
  5. Angel Rubio Secades Committee member
Department:
  1. Física

Type: Thesis

Teseo: 83009 DIALNET lock_openRIULL editor

Abstract

Se estudian las fases de alta presión en los semiconductores del grupo IVa Si y Ge en los compuestos binarios de la familia IIIa-Va A1P, A1As, A1Sb, GaAs, GaP, InP e InAs. El método utilizado en el cálculo de la energía interna de las distintas fases en una aplicación de la teoría del Funcional de la Densidad en el formalismo de pseudopotenciales y ondas planas.